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標準簡介：本標準規(guī)定重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法。本標準適用于襯底在23℃電阻率小于0.02Ω·cm 和外延層在23℃電阻率大于0.1Ω·cm 且外延層厚度大于2μm 的n型和p型硅外延層厚度的測量;在降低精度情況下,該方法原則上也適用于測試0.5μm~2μm 之間的n型和p型外延層厚度。
標準號：GB/T 14847-2010
標準名稱：重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法
英文名稱：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2011-01-10
實施日期：2011-10-01
中國標準分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
國際標準分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導體材料
替代以下標準：替代GB/T 14847-1993
起草單位：寧波立立電子股份有限公司、信息產業(yè)部專用材料質量監(jiān)督檢驗中心
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/T
發(fā)布單位：國家質量監(jiān)督檢驗檢疫.
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