硅外延片檢測什么單位可以做?檢測項目及標準有哪些?檢測實驗室可依據(jù)GB/T 14139-2019 硅外延片等相關(guān)標準制定試驗方案。對導(dǎo)電類型、晶向、電阻率及徑向電阻率變化、厚度及徑向厚度變化等項目進行檢測分析。并出具嚴謹公正的硅外延片檢測報告。

檢測項目

導(dǎo)電類型、晶向、電阻率及徑向電阻率變化、厚度及徑向厚度變化、晶體完整性、表面金屬元素分析、表面質(zhì)量等。

適用范圍

N型硅外延片、P型硅外延片等。

相關(guān)檢測標準

GB/T 14139-2019 硅外延片

GB/T 1550 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T 1555 半導(dǎo)體單晶晶向測試方法

GB/T 2828.1-2012 計數(shù)抽樣檢驗程序 第1部分：按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T 6617 硅片電阻率測試 擴展電阻探針法

GB/T 6624 硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

GB/T 12964 硅單晶拋光片

GB/T 13389 摻砌摻磷摻碑硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

GB/T 14141 硅外延層、擴展層和離子注入層薄層電阻的測試 直排四探針法

GB/T 14142 硅外延層品體完整性檢驗方法 腐蝕法

GB/T 14146 硅外延層載流子濃度測試 汞探針電容-電壓法

GB/T 14264 半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T 14844 半導(dǎo)體材料牌號表示方法

GB/T 14847 重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T 19921 硅拋光片表面顆粒測試方法

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。